川口博准教授が京都で開催されたIEEE SSCS Kansai Chapterで講演を行いました。

京都で開催されたIEEE SSCS Kansai Chapterで川口博准教授が講演を行いました。

• 低電圧・低消費電力SRAM川口 博 准教授 (神戸大学)
  SoCにおいてトランジスタ数の90%以上を占めるSRAMは，ばらつきの影響を最も受けるIPである。そのためSoCの最低動作電圧はSRAMに支配される。本講演ではスケーリングおよびSoCの低消費電力性能の維持のためのSRAM設計技術を紹介する。