藤原英弘がニューヨークで開催されたSOI-Conference 2008で発表しました。

2008年10月5日からニューヨークで開催された国際学会2008 IEEE International SOI Conferenceにおいて、D3の藤原英弘がSOI基板バイアス制御を用いた研究に関する発表をしました。

• H. Fujiwara, T. Takeuchi, Y. Otake, M. Yoshimoto, and H. Kawaguchi, “An Inter-Die Variability Compensation Scheme for 0.42-V 486-kb FD-SOI SRAM using Substrate Control,” 2008 IEEE International SOI Conference, New Paltz, New York, USA, Oct. 2008.