寺田正治と鍵山祐輝がサンタクララで開催されたISQEDで発表しました。

2012年3月19日～21日にアメリカ・サンタクララで開催された国際学会ISQEDにおいて、M2寺田正治とM2鍵山祐輝が発表しました。

• M. Terada, S. Yoshimoto, S. Okumura, T. Suzuki, S. Miyano, H. Kawaguchi, and M. Yoshimoto, “A 40-nm 256-Kb 0.6-V Operation Half-Select Resilient 8T SRAM with Sequential Writing Technique Enabling 367-mV VDDmin Reduction,” Proceedings of IEEE International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), Mar. 2012.
• Y. Kagiyama, S. Okumura, K. Yanagida, S. Yoshimoto, Y. Nakata, S. Izumi, H. Kawaguchi, and M. Yoshimoto, “Bit Error Rate Estimation in SRAM Considering Temperature Fluctuation,” Proceedings of IEEE International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), Mar. 2012.