野口紘希と吉川将弘がサンタクララで開催されたISQEDで発表しました。

2011年3月14日－16日にアメリカ・サンタクララで開催された国際学会ISQEDで、D3野口紘希とM2吉川将弘が発表しました。

• H. Noguchi, S. Okumura, T. Takagi, K. Kugata, M. Yoshimoto and H. Kawaguchi, “0.45-V Operating Vt-Variation Tolerant 9T/18T Dual-Port SRAM,” Proceedings of IEEE International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), Mar. 2011.
• M. Yoshikawa, S. Okumura, Y. Nakata, Y. Kagiyama, H. Kawaguchi and M. Yoshimoto, “Block-Basis On-Line BIST Architecture for Embedded SRAM Using Wordline and Bitcell Voltage Optimal Control,” Proceedings of IEEE International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), Mar. 2011.