森田泰弘が第11回LSIワークショップでIEEEシステムLSI技術賞を受賞しました。

2007年11月19-21日に北九州市で開催された第11回システムLSIワークショップのポスタセッションにおいて、D3の森田泰弘が発表した「DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計-32nm世代以降で8Tセルが小面積・低電圧動作を同時に実現-」がIEEEシステムLSI技術賞を受賞しました。

• 森田泰弘，藤原英弘，野口紘希，井口友輔，新居浩二，川口博，吉本雅彦
  “DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計-32nm世代以降で8Tセルが小面積・低電圧動作を同時に実現-”
  第11回システムLSIワークショップ ポスタセッション，pp.222-224，2007年11月．

当研究室からは4年連続、通算で6回目の受賞です。