野口紘希がフランスで開催されたICICDT 2008で発表しました。

2008年6月2日-4日にフランス・グルノーブルで開催された国際学会International Conference on IC Design and Technology 2008 (ICICDT 2008)において、D1の野口紘希が発表しました。英語でのすばらしいプレゼンテーションでした。

• H. Noguchi, S. Okumura, Y. Iguchi, H. Fujiwara, Y. Morita, K. Nii, H. Kawaguchi, and M. Yoshimoto, “Which is the Best Dual-Port SRAM in 45-nm Process Technology? – 8T, 10T Single End, and 10T Differential -,” Proc. International Conference on IC Design and Technology, pp.55-58, June 2008.